气源柜主要技术要求： 

　　1 、各室极限真空度不差于 2 × 10-5Pa ；恢复工作真空时间短，从大气到工作背景真空， 40 分钟左右 ( 充干燥氮气 ) 。 　 

　　2 、此一体化设备主要包括防泄漏气源柜，总电柜，一个进出样品室，一个样品预处理兼样品过渡室，一个原位真空样品传送室，一个金属溅射室和一个化学气相沉积兼真空退火室；存放置样品处尺寸以 3 英寸设计标准。  

　　3 、样品预处理室采用直流轰击或离子源。  

　　4 、溅射室：两个直流溅射靶和一个 RF 溅射靶并分别配备挡板，三个独立控制的微量气源，衬底温度不低于 400 OC 上下浮动范围在 0.2OC 范围内，衬底自转，样品和蒸发基底处配有上挡板；能够溅射磁性材料；独立真空获得系统。  

　　5 、化学气相沉积兼真空退火室：五路独立控制的微量气源，热处理温度不低于 1100 ℃ ，并预留原位低能或高能电子衍射谱连接口；独立真空获得系统；升降温度的速率可控，上下浮动范围在 0.2 ℃ 范围内。 

　　6 、样品传送室备有可以储存不少于三个样品的储存处——气源柜。 

　　标项二： 电子束与电阻蒸发复合镀膜系统 一台 

　　主要技术要求： 

　　复合镀膜系统主要由蒸发真空室、 E 型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、两路工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成。 

　　1 、系统真空室： U 型水冷箱体活开门结构，尺寸大于 F 400mm ×550mm ； 

　　2 、极限真空度： ≤6.67×10 -5 Pa ( 经烘烤除气后 ) ； 

　　3 、系统真空检漏漏率： ≤5.0×10 -7 Pa × l/s ； 

　　4 、短时间（ <45 分钟）真空度可达到 5×10 -4 Pa 左右； 

　　5 、水平旋转基片加热台：可放置 4 英寸样品，加热最高温度可达 800°C±1°C ； 

　　6 、基片加热台与蒸发源之间的距离： 300mm － 350mm 可调； 

　　7 、垂直旋转的丝状样品放置台：安装在侧面的 16CF 法兰接口上，电机驱动磁耦合机制控制，转速 0-30rpm 可调；丝状样品放置台位于水平旋转基片加热台正下方，可随意拆卸； 

　　8、 电阻蒸发源：水冷电极 3 根，蒸发电源最大输出功率至少 2.5KW ； 

　　9 、电子枪及电源： 270oE 型电子枪，功率 0-6KW 可调，阳极电压为 6KV 、 8KV ； 

　　10 、离子轰击系统的接口：在该设备的腔体上正后方加工一个安装离子轰击系统的口径约为 150mm 的转接口； 

　　11 、水冷式坩锅：四穴坩锅，每个容量至少 10ml ，单穴结构为圆台型； 

　　12 、石英晶体振荡膜厚仪：厚度分辨率为 1? ，厚度显示范围为 0 ～ 99μm ； 

　　13 、两路工作气路：分别配备 100SCCM 和 200SCCM 的质量流量控制器各一套。 

　　技术服务及质量保证： 

　　1 、提供该设备的技术使用说明书及外购配件仪器仪表说明书——气源柜； 

　　2 、在验收后，一年内免费维修，并终身维修。 

　　现场安装具备的条件： 

　　1 、电源 380V 50Hz 功率大于 10KW ； 

　　2 、可靠地线 , 对地电阻小于 2Ω ； 

　　3 、具有循环冷却水； 

　　4 、安装场地面积 25M 2 , 高度高于 2.4M ； 

　　5 、要求有普通氮气，压强要在 2 ～ 3 个大气压之间； 

　　6 、外排废气管道；